型號: | BC212L |
英文描述: | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
中文描述: | 互補硅外延平面晶體管 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大小: | 107K |
代理商: | BC212L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BC212DCSM | Cyclone FPGA 20K FBGA-400 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC212L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92 |
BC212L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor Transistor Type:BJ |
BC212L_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC212L_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC212L_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V PNP BIPOLAR LOW POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |