參數(shù)資料
型號： BC212L
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： 互補(bǔ)硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BC212L
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
BC
212
BC
213
BC
214
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
–50
–30
–30
Vdc
Collector–Base Voltage
–60
–45
–45
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
350
2.8
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
357
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
125
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –2.0 mAdc, IB = 0)
BC212
BC213
BC214
V(BR)CEO
–50
–30
–30
—
—
—
—
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –10 A, IE = 0)
BC212
BC213
BC214
V(BR)CBO
–60
–45
–45
—
—
—
—
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –10 Adc, IC = 0)
BC212
BC213
BC214
V(BR)EBO
–5
–5
–5
—
—
—
—
—
—
Vdc
Collector–Emitter Leakage Current
(VCB = –30 V)
BC212
BC213
BC214
ICBO
—
—
—
—
—
—
–15
–15
–15
nAdc
Emitter–Base Leakage Current
(VEB = –4.0 V, IC = 0)
BC212
BC213
BC214
IEBO
—
—
—
—
—
—
–15
–15
–15
nAdc
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by BC212/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 17
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
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PDF描述
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