參數(shù)資料
型號(hào)： BC212A
英文描述： Cyclone FPGA 12K FBGA-256
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 107K
代理商： BC212A
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
BC
212
BC
213
BC
214
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
–50
–30
–30
Vdc
Collector–Base Voltage
–60
–45
–45
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–100
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
350
2.8
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
357
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
125
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –2.0 mAdc, IB = 0)
BC212
BC213
BC214
V(BR)CEO
–50
–30
–30
—
—
—
—
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –10 A, IE = 0)
BC212
BC213
BC214
V(BR)CBO
–60
–45
–45
—
—
—
—
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –10 Adc, IC = 0)
BC212
BC213
BC214
V(BR)EBO
–5
–5
–5
—
—
—
—
—
—
Vdc
Collector–Emitter Leakage Current
(VCB = –30 V)
BC212
BC213
BC214
ICBO
—
—
—
—
—
—
–15
–15
–15
nAdc
Emitter–Base Leakage Current
(VEB = –4.0 V, IC = 0)
BC212
BC213
BC214
IEBO
—
—
—
—
—
—
–15
–15
–15
nAdc
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by BC212/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 17
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
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PDF描述
BC212BRL1 Cyclone FPGA 12K FBGA-324
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參數(shù)描述
BC212B 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -50V -100mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC212B WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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BC212B_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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