參數資料
型號： BC212
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： 互補硅外延平面晶體管
文件頁數： 3/4頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BC212
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
2.0
1.5
1.0
0.2
0.3
0.5
0.7
–200
–0.2
–0.5
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 1. Normalized DC Current Gain
h
VCE = –10 V
TA = 25
°
C
–1.0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
–0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages
V
TA = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = –10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
400
300
20
30
40
60
80
100
200
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 3. Current–Gain — Bandwidth Product
f
C
10
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
–0.4
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Capacitances
TA = 25
°
C
Cib
Cob
r
′
150
140
130
120
110
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 5. Output Admittance
–0.2
–0.5
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100
VCE = –10 V
TA = 25
°
C
–0.5
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0
–10
–20
–30
–50
–0.6
–1.0
–2.0
–4.0
–6.0
–10
–20
–30 –40
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
Figure 6. Base Spreading Resistance
VCE = –10 V
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
–0.1
–0.2 –0.3
–0.5
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0
–10
VCE = –10 V
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2.0
–5.0
–10
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
o
150
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PDF描述
BC212L COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
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