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參數(shù)資料
| 型號： | BB303C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 7V V(BR)DSS | 25MA I(D) | SC-82AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 7伏五（巴西）直| 25mA電流（?。﹟律師- 82AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BB303C |
BB303C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC
VHF/UHF RF Amplifier
ADE-208-698B (Z)
3rd. Edition
Mar. 2001
Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
High forward transfer admittance;
(|yfs| = 42 mS typ. at f = 1 kHz)
Withstanding to ESD;
Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 250V at C=200pF, Rs=0 conditions.
Provide mini mold packages; CMPAK-4 (SOT-343 var.)
Outline
CMPAK-4
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
1
4
3
2
Notes:
1.
2.
Marking is “CW –”.
BB303C is individual type number of HITACHI BBFET.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BB303M | Spread Spectrum Clock Generator |
| BB401M | MoBL® 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| BB405 | UHF variable capacitance diode |
| BB405B | UHF variable capacitance diode |
| BB901 | VHF variable capacitance diode(VHF 可變電容二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BB303M | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Build in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier |
| BB3-03TF | 功能描述:斷路器 TOP COVER-MFGR RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Device Circuit Breakers 產(chǎn)品類型:Thermomagnetic 電流額定值:2 A 電壓額定值 AC:240 V, 277 V 電壓額定值 DC:50 V 極數(shù):1 Pole 執(zhí)行器類型:Slide 電路功能:Trip Free 系列:CB TM1 工作溫度范圍:- 30 C to + 60 C 照明:No |
| BB-304-06-BI | 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk |
| BB304A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Variable Capacitance Diode (For FM tuners Monolithic chip with common cathode for perfect tracking of both diodes) |
| BB304C | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier |
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