參數(shù)資料
型號： BAV101
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diodes
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： BAV101
1996 Sep 17
5
Philips Semiconductors
Product specification
General purpose diodes
BAV100 to BAV103
GRAPHICAL DATA
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage
0
100
200
200
0
100
MBH278
Tamb (
o
C)
IF
(mA)
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage.
handbook, halfpage
0
1
2
0
200
400
MBG459
VF (V)
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
(1) T
j
= 150
°
C; typical values.
(2) T
j
= 25
°
C; typical values.
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°
C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG703
10
tp (
μ
s)
1
IFSM
(A)
2
10
1
10
4
10
2
10
3
10
1
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