參數(shù)資料
型號： BAV101
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diodes
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： BAV101
1996 Sep 17
3
Philips Semiconductors
Product specification
General purpose diodes
BAV100 to BAV103
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
RRM
repetitive peak reverse voltage
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
continuous reverse voltage
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
continuous forward current
repetitive peak forward current
non-repetitive peak forward current
60
V
V
V
V
120
200
250
V
R
50
V
V
V
V
mA
mA
100
150
200
250
625
I
F
I
FRM
I
FSM
see Fig.2; note 1
square wave; T
j
= 25
°
C prior to
surge; see Fig.4
t = 1
μ
s
t = 100
μ
s
t = 1 s
T
amb
= 25
°
C; note 1
9
3
1
A
A
A
mW
°
C
°
C
P
tot
T
stg
T
j
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
400
+175
175
65
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