參數資料
型號： BAV101
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diodes
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁數： 4/8頁
文件大小： 34K
代理商： BAV101
1996 Sep 17
4
Philips Semiconductors
Product specification
General purpose diodes
BAV100 to BAV103
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C; unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
F
forward voltage
see Fig.3
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
see Fig.5
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 100 V
V
R
= 100 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V; T
j
= 150
°
C
f = 1 MHz; V
R
= 0; see Fig.6
when switched from I
F
= 30 mA to
I
R
= 30 mA; R
L
= 100
;
measured at I
R
= 3 mA; see Fig.8
1.0
1.25
V
V
I
R
reverse current
BAV100
100
100
100
100
100
100
100
100
nA
μ
A
nA
μ
A
nA
μ
A
nA
μ
A
pF
ns
BAV101
BAV102
BAV103
C
d
t
rr
diode capacitance
reverse recovery time
5
50
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-tp
R
th j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient
300
375
K/W
K/W
note 1
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