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參數資料
| 型號： | BA545AL |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Low-leakage diode |
| 中文描述： | 低泄漏二極管 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | BA545AL |
1999 May 28
5
Philips Semiconductors
Product specification
Low-leakage diode
BAS45AL
V
R
= 125 V.
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature.
handbook, halfpage
IR
(nA)
10
3
10
2
10
10
1
150
50
0
MBD456
100
1
Tj
o
typ
max
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0
10
20
15
5
2
0
1
MBG524
VR (V)
handbook, full pagewidth
trr
(1)
IF
t
output signal
tr
t
tp
10%
90%
VR
input signal
V = VR
F
S
S
IF
D.U.T.
Ri
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
MGA881
Fig.7 Reverse recovery time test circuit and waveforms.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAP55L | Silicon PIN diode |
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| BD933F | SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS |
| BD933 | SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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