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BUK9E2R8-60E,127

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  • BUK9E2R8-60E,127
    BUK9E2R8-60E,127

    BUK9E2R8-60E,127

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
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BUK9E2R8-60E,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BUK9E2R8-60E/I2PAK/RAILH// - Rail/Tube
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
BUK9E2R8-60E,127 技術(shù)參數(shù)
  • BUK9E2R3-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):87.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13160pF @ 25V 功率 - 最大值:293W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK9E1R9-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3 標準包裝:50 BUK9E1R8-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):120nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):16400pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標準包裝:1,000 BUK9E1R6-30E,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):113nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):16150pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK9E15-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):54A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2651pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK9K12-60EX BUK9K134-100EX BUK9K13-60EX BUK9K17-60EX BUK9K18-40E,115 BUK9K20-80EX BUK9K22-80EX BUK9K25-40EX BUK9K29-100E,115 BUK9K30-80EX BUK9K32-100EX BUK9K35-60E,115 BUK9K45-100E,115 BUK9K52-60E,115 BUK9K5R1-30EX BUK9K5R6-30EX BUK9K6R2-40E,115 BUK9K6R8-40EX
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