參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRL7736M2TR1
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 22 A, 40 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-5
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大小： 230K
代理商： AUIRL7736M2TR1
AUIRL7736M2TR/TR1
6
www.irf.com
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature
Fig 13. Maximum Safe Operating Area
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 16. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
14A
37A
BOTTOM 67A
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
he
rm
al
R
es
po
ns
e
(
Z
th
JC
)
°C
/W
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci
i
/Ri
Ci=
τi/Ri
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τi (sec)
0.07641
2.1e-05
0.36635
0.000737
0.94890
0.039150
1.00767
0.007321
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
0.01
0.1
1
10
100
1000
A
va
la
nc
he
C
ur
re
nt
(A
)
0.05
Duty Cycle = Single Pulse
0.10
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming ΔΤ j = 25°C and
Tstart = 150°C.
0.01
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming ΔTj = 150°C and
Tstart =25°C (Single Pulse)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRLR024NTRL 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRLU024N 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
AUIRLR024N 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRLR024NTRR 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
AUIRLR024NTR 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AUIRL7766M2TR 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRL7766M2TR1 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRLB4030 制造商:International Rectifier 功能描述:
AUIRLI2505 制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET 55V, 58A, 8MOHM, 87 NC QG, FULLPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 55V 58A TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:Automotive MOSFET 55 87 nC Qg, FullPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / Automotive MOSFET 55V, 58A, 8mOhm, 87 nC Qg, FullPAK
AUIRLL014N 功能描述:MOSFET 55V, Logic level 2A 140 mOhm Auto MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*