參數(shù)資料
型號： ATP104
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 75 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE, ATPAK-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： ATP104
ATP104
No. A1406-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--1mA
--1.2
--2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=--10V, ID=--38A
70
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--38A, VGS=--10V
6.4
8.4
mΩ
RDS(on)2
ID=--19A, VGS=--4.5V
9.6
13.5
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
3950
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
880
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
610
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
24
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
520
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
290
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
260
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--75A
76
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--75A
18
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--75A
13
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--75A, VGS=0V
--1.02
--1.5
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID= --38A
RL=0.39Ω
VDD= --15V
VOUT
VIN
0V
--10V
VIN
ATP104
相關PDF資料
PDF描述
ATP104 75 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP113TL 35 A, 60 V, 0.0295 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP113 35 A, 60 V, 0.0295 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP114TL 55 A, 60 V, 0.016 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP114 55 A, 60 V, 0.016 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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