參數(shù)資料
型號： ATP103
元件分類： JFETs
英文描述： 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE, ATPAK, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 257K
代理商： ATP103
ATP103
No. A1623-2/4
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--1mA
--1.2
--2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=--10V, ID=--28A
45
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--28A, VGS=--10V
10
13
mΩ
RDS(on)2
ID=--14A, VGS=--4.5V
14.5
20.5
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
2430
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
555
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
395
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
19
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
400
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
150
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
145
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--55A
47
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--55A
10
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--55A
8.7
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--55A, VGS=0V
--1.03
--1.5
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID= --28A
RL=0.54Ω
VDD= --15V
VOUT
VIN
0V
--10V
VIN
ATP103
相關PDF資料
PDF描述
ATP103 55 A, 30 V, 0.013 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP104 75 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP104 75 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP113TL 35 A, 60 V, 0.0295 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP113 35 A, 60 V, 0.0295 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ATP103_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP103-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ATP104 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP104_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP-104A060B 制造商:DMC 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*