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參數(shù)資料
| 型號： | ATF-511P8-TR1 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封裝： | 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 13/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 447K |
| 代理商： | ATF-511P8-TR1 |
6
ATF-511P8 Typical Performance Curves, continued (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal OIP3 at 4.5V, 200 mA
Note:
Bias current for the above charts are quiescent
conditions. Actual level may increase or
decrease depending on amount of RF drive.
FREQUENCY (GHz)
Figure 17. P1dB vs. Temp and Freq.
P1dB
(dBm)
0.5
35
30
25
20
15
10
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
FREQUENCY (GHz)
Figure 18. Gain vs. Temp and Freq.
GAIN
(dB)
0.5
20
15
10
5
0
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
FREQUENCY (GHz)
Figure 19. PAE vs. Temp and Freq.
PAE
(%)
0.5
80
70
60
50
40
30
20
10
0
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
-40
°C
25
°C
85
°C
-40
°C
25
°C
85
°C
-40
°C
25
°C
85
°C
I
DS
(mA)
Figure 20. OIP3 vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
OIP3
(dBm)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 21. OIP3 vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
OIP3
(dBm)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 22. P1dB vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
P1dB
(dBm)
50
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 23. P1dB vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
P1dB
(dBm)
50
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 24. Gain vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
GAIN
(dB)
50
12
10
8
6
4
2
0
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 25. Gain vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
GAIN
(dB)
50
22
20
18
16
14
12
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
ATF-511P8 Typical Performance Curves (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal P1dB at 4.5 V, 200 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ATF-52189-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-52189-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-521P8-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| ATF-52189-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-52189-TR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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| ATF-521P8 | 制造商:AVAGO 制造商全稱:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package |
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