參數資料
型號： ATF-511P8-TR1
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8
文件頁數： 12/16頁
文件大?。?/td> 447K
代理商： ATF-511P8-TR1
5
ATF-511P8 Typical Performance Curves (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal OIP3 at 4.5V 200 mA
Note:
Bias current for the above charts are quiescent
conditions. Actual level may increase or
decrease depending on amount of RF drive.
I
DS
(mA)
Figure 8. OIP3 vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
OIP3
(dBm)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 9. OIP3 vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
OIP3
(dBm)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 10. P1dB vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
P1dB
(dBm)
50
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 11. P1dB vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
P1dB
(dBm)
50
35
30
25
20
15
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 12. Gain vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
GAIN
(dB)
50
17
16
15
14
13
12
11
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 13. Gain vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
GAIN
(dB)
50
20
19
18
17
16
15
14
13
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 14. PAE vs. I
DS and VDS at 2 GHz.
PAE
(%)
50
80
70
60
50
40
30
20
10
0
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
I
DS
(mA)
Figure 15. PAE vs. I
DS and VDS at 900 MHz.
PAE
(%)
50
80
70
60
50
40
30
20
10
0
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
FREQUENCY (GHz)
Figure 16. OIP3 vs. Temp and Freq.
OIP3
(dBm)
0.5
50
45
40
35
30
25
20
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
-40
°C
25
°C
85
°C
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PDF描述
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