參數(shù)資料
型號： ATF-511P8-TR1
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8
文件頁數(shù)： 11/16頁
文件大?。?/td> 447K
代理商： ATF-511P8-TR1
4
Gamma Load and Source at Optimum OIP3 and P1dB Tuning Conditions
The device’s optimum OIP3 and P1dB measurements were determined using a load pull system at 4.5V,
200 mA quiesent bias:
Figure 7. Simplified schematic of production test board. Primary purpose is to show 15 Ohm series resistor placement in
gate supply. Transmission line tapers, tee intersections, bias lines and parasitic values are not shown.
RF Input
1.2 pF
2.7 nH
1.8 nH
RF Output
50 Ohm
.02
λ
110 Ohm
.03
λ
110 Ohm
.03
λ
50 Ohm
.02
λ
DUT
15 nH
15 Ohm
2.2
F
Gate
DC Supply
47 nH
2.2
F
Drain
DC Supply
Optimum OIP3
Freq
Gamma Source
Gamma Load
OIP3
Gain
P1dB
PAE
(GHz)
Mag
Ang
Mag
Ang
(dBm)
(dB)
(dBm)
(%)
0.9
0.776
152
0.549
-178
43.3
17.94
29.63
63.8
2.0
0.872
-171
0.683
-179
43.1
15.06
30.12
66.8
2.4
0.893
-162
0.715
-174
42.8
14.03
29.90
64.5
3.9
0.765
-132
0.574
-144
41.7
9.47
29.02
52
Optimum P1dB
Freq
Gamma Source
Gamma Load
OIP3
Gain
P1dB
PAE
(GHz)
Mag
Ang
Mag
Ang
(dBm)
(dB)
(dBm)
(%)
0.9
0.773
153
0.784
-173
38.0
19.28
31.9
54.23
2.0
0.691
147
0.841
-166
36.4
10.34
31.4
38.15
2.4
0.797
164
0.827
-166
36.2
8.43
31.2
37.38
3.9
0.602
-163
0.794
-155
35.4
7.03
31
32.72
相關PDF資料
PDF描述
ATF-511P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-52189-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-52189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-521P8-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-521P8-TR2 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
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參數(shù)描述
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ATF-521P8 制造商:AVAGO 制造商全稱:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package
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