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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ATF-34143-BLK |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | PLASTIC, SC-70, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | ATF-34143-BLK |
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2
ATF-34143 Absolute Maximum Ratings[1]
Absolute
Symbol
Parameter
Units
Maximum
VDS
Drain-SourceVoltage[2]
V
5.5
VGS
Gate-SourceVoltage[2]
V
-5
VGD
GateDrainVoltage[2]
V
-5
ID
DrainCurrent[2]
mA
Idss[3]
Pdiss
TotalPowerDissipation[4]
mW
725
Pinmax
RFInputPower
dBm
17
TCH
ChannelTemperature
°C
160
TSTG
StorageTemperature
°C
-65to160
θjc
ThermalResistance[5]
°C/W
165
Notes:
1. Operationofthisdeviceaboveanyoneof
these parameters may cause permanent
damage.
2. AssumesDCquiescentconditions.
3. VGS=0volts.
4. Source lead temperature is 25°C. Derate
6mW/°CforTL>40°C.
5. Thermalresistancemeasuredusing150°C
LiquidCrystalMeasurementmethod.
6. Under large signal conditions, VGS may
swingpositiveandthedraincurrentmay
exceedIdss.Theseconditionsareacceptable
as long as the maximum Pdiss and Pinmax
ratingsarenotexceeded.
Product Consistency Distribution Charts[7]
VDS (V)
Figure 1. Typical/Pulsed I-V Curves[6].
(VGS= -0.2V per step)
I DS
(mA)
0
2
4
6
8
250
200
150
100
50
0
+0.6 V
0 V
–0.6 V
OIP3 (dBm)
Figure 2. OIP3 @ 2 GHz, 4 V, 60 mA.
LSL=29.0, Nominal=31.8, USL=35.0
29
31
30
33
34
32
35
120
100
80
60
40
20
0
-3 Std
+3 Std
Cpk = 1.37245
Std = 0.66
9 Wafers
Sample Size = 450
NF (dB)
Figure 3. NF @ 2 GHz, 4 V, 60 mA.
LSL=0.1, Nominal=0.47, USL=0.8
0
0.4
0.2
0.6
0.8
120
100
80
60
40
20
0
-3 Std
+3 Std
Cpk = 2.69167
Std = 0.04
9 Wafers
Sample Size = 450
GAIN (dB)
Figure 4. Gain @ 2 GHz, 4 V, 60 mA.
LSL=16.0, Nominal=17.5, USL=19.0
16
17
16.5
18
18.5
17.5
19
120
100
80
60
40
20
0
-3 Std
+3 Std
Cpk = 2.99973
Std = 0.15
9 Wafers
Sample Size = 450
Notes:
7. Distributiondatasamplesizeis450samplestakenfrom9differentwafers.Futurewafersallocatedtothisproductmayhavenominalvalues
anywherewithintheupperandlowerspeclimits.
8. Measurementsmadeonproductiontestboard.Thiscircuitrepresentsatrade-offbetweenanoptimalnoisematchandarealizeablematchbased
onproductiontestrequirements.Circuitlosseshavebeende-embeddedfromactualmeasurements.
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PDF描述 |
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