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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ATF-10736-TR1 |
| 英文描述： | 0.5-12 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
| 中文描述： | 0.5-12吉赫通用砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | ATF-10736-TR1 |
5-31
Typical Scattering Parameters,
Common Source, Z
O
= 50
, T
A
= 25
°
C, V
DS
= 2 V, I
DS
=25 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
0.5
.96
-20
15.4
5.90
1.0
.92
-40
15.2
5.77
2.0
.77
-76
13.8
4.92
3.0
.59
-107
12.5
4.20
4.0
.49
-136
11.2
3.64
5.0
.43
-179
10.0
3.15
6.0
.49
138
8.6
2.74
7.0
.57
106
7.3
2.32
8.0
.68
81
5.6
1.92
9.0
.73
62
4.2
1.62
10.0
.77
47
3.0
1.41
11.0
.82
36
1.0
1.12
12.0
.85
22
-0.2
0.98
S
12
Mag.
.024
.046
.086
.111
.137
.167
.179
.183
.185
.183
.182
.186
.189
S
22
Ang.
162
144
109
83
57
32
8
-13
-32
-50
-66
-81
-97
dB
-32.4
-26.7
-21.3
-20.0
-17.3
-15.5
-14.9
-14.8
-14.7
-14.8
-14.8
-14.6
-14.5
Ang.
77
66
52
40
24
9
-5
-18
-33
-40
-52
-67
-75
Mag.
.50
.48
.39
.33
.26
.14
.05
.19
.33
.42
.46
.50
.51
Ang.
-10
-21
-34
-45
-61
-65
22
60
57
46
38
27
15
Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, T
A
= 25
°
C, V
DS
= 4 V, I
DS
=70 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
0.5
.90
-32
19.0
8.95
1.0
.79
-53
18.0
7.96
2.0
.57
-96
15.5
5.99
3.0
.43
-129
13.3
4.60
4.0
.36
-163
11.6
3.78
5.0
.35
156
10.1
3.21
6.0
.47
110
8.8
2.76
7.0
.65
78
7.0
2.23
8.0
.77
58
5.1
1.80
9.0
.83
44
3.5
1.50
10.0
.86
30
2.4
1.32
11.0
.87
16
1.1
1.13
12.0
.91
1
0.1
0.99
A model for this device is available in the DEVICE MODELS section.
S
12
Mag.
.018
.037
.075
.106
.136
.166
.189
.196
.198
.195
.188
.182
.171
S
22
Ang.
147
128
90
64
39
16
-11
-36
-56
-72
-88
-106
-123
dB
-34.9
-28.6
-22.5
-19.5
-17.3
-15.6
-14.5
-14.2
-14.1
-14.2
-14.5
-14.8
-15.3
Ang.
77
70
56
43
31
14
-5
-23
-38
-48
-64
-77
-91
Mag.
.40
.38
.34
.31
.28
.22
.15
.28
.42
.51
.55
.60
.65
Ang.
-7
-17
-38
-50
-51
-45
-4
35
37
33
26
18
7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-10736 | 0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET(0.5-12 GHz 低噪聲砷化鎵 FET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| ATF-10XXX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Low Noise Gallium Arsenide FET -- Reliability Data (20K in pdf) |
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