- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381445 > AT29BV010A (Atmel Corp.) 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory(128K x 8單電源2.7V Battery-Voltage技術(shù)閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AT29BV010A |
| 廠商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory(128K x 8單電源2.7V Battery-Voltage技術(shù)閃速存儲器) |
| 中文描述： | 128K的× 8單2.7伏電池電壓快閃記憶體（128K的× 8單電源為2.7V電池電壓技術(shù)閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | AT29BV010A |
AT29BV010A
5
AC Read Waveforms
Notes:
1.
2.
CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change
without impact on t
ACC
.
t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first (CL = 5 pF).
This parameter is characterized and is not 100% tested.
3.
4.
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Note:
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
AC Read Characteristics
Symbol
Parameter
AT29BV010A-20
AT29BV010A-25
AT29BV010A-30
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
ACC
Address to Output Delay
200
250
300
ns
t
CE
(1)
CE to Output Delay
200
250
300
ns
t
OE
(2)
OE to Output Delay
0
100
0
120
0
150
ns
t
DF
(3)(4)
CE or OE to Output Float
0
50
0
60
0
75
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or Address,
whichever occurred first
0
0
0
ns
t
R
, t
F
< 5 ns
Pin Capacitance
f = 1 MHz, T = 25°C
(1)
Symbol
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
4
6
pF
V
IN
= 0V
C
OUT
8
12
pF
V
OUT
= 0V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT29BV020-35JI | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV020-35TC | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV020-35TI | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV020-25 | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV020-25JC | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AT29BV010A-12JI | 功能描述:閃存 1M (128K X 8) 2.7V- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT29BV010A-12JU | 功能描述:閃存 1M(128Kx8) 2.7V - 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT29BV010A-12JU-T | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 120NS 32PLCC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH 存儲容量:1Mb （128K x 8） 寫周期時間 - 字，頁:20ms 訪問時間:120ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:32-LCC（J 形引線） 供應商器件封裝:32-PLCC（11.43x13.97） 基本零件編號:AT29BV010 標準包裝:750 |
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