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參數(shù)資料
| 型號： | AT29BV010A |
| 廠商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory(128K x 8單電源2.7V Battery-Voltage技術(shù)閃速存儲器) |
| 中文描述： | 128K的× 8單2.7伏電池電壓快閃記憶體（128K的× 8單電源為2.7V電池電壓技術(shù)閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | AT29BV010A |
1
Features
Single Supply Voltage, Range 2.7V to 3.6V
Single Supply for Read and Write
Software Protected Programming
Fast Read Access Time - 200 ns
Low Power Dissipation
– 15 mA Active Current
– 40 μA CMOS Standby Current
Sector Program Operation
– Single Cycle Reprogram (Erase and Program)
– 1024 Sectors (128 bytes/sector)
– Internal Address and Data Latches for 128 Bytes
Two 8K Bytes Boot Blocks with Lockout
Fast Sector Program Cycle Time - 20 ms Max.
Internal Program Control and Timer
DATA Polling for End of Program Detection
Typical Endurance > 10,000 Cycles
CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Description
The AT29BV010A is a 2.7-volt only in-system Flash Programmable and Erasable
Read Only Memory (Flash). Its 1 megabit of memory is organized as 131,072 words
by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS EEPROM technol-
ogy, the device offers access times to 200 ns, and a low 54 mW power dissipation.
When the device is deselected, the CMOS standby current is less than 40
μ
A. The
device endurance is such that any sector can typically be written to in excess of
10,000 times. The programming algorithm is compatible with other devices in Atmel’s
Low Voltage Flash family of products.
1-Megabit
(128K x 8)
Single 2.7-volt
Battery-Voltage
Flash Memory
AT29BV010A
Rev. 0519C–10/98
Pin Configurations
Pin Name
Function
A0 - A16
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
I/O0 - I/O7
Data Inputs/Outputs
NC
No Connect
TSOP Top View
Type 1
1
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3
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6
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9
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A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
PLCC Top View
5
6
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8
9
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A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4
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3
3
3
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1
2
I
I
G
I
I
I
I
A
A
A
N
V
W
N
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT29BV020-35JI | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV020-35TC | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV020-35TI | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV020-25 | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV020-25JC | 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT29BV010A_08 | 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:1-Megabit (128K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory |
| AT29BV010A-12JC | 功能描述:閃存 1M (128K X 8) 2.7V- 120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT29BV010A-12JI | 功能描述:閃存 1M (128K X 8) 2.7V- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT29BV010A-12JU | 功能描述:閃存 1M(128Kx8) 2.7V - 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT29BV010A-12JU-T | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 120NS 32PLCC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH 存儲容量:1Mb （128K x 8） 寫周期時間 - 字，頁:20ms 訪問時間:120ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:32-LCC（J 形引線） 供應(yīng)商器件封裝:32-PLCC（11.43x13.97） 基本零件編號:AT29BV010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:750 |
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