參數(shù)資料
型號(hào)： AS7C4096A-10TCN
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5.0V 512K x 8 CMOS SRAM
中文描述： 512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 324K
代理商： AS7C4096A-10TCN
AS7C4096A
5/27/05, v. 1.1
Alliance Semiconductor
P. 5 of 10
Write cycle (over the operating range)
9
Write waveform 1 (WE controlled)
9
Parameter
Symbol
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP1
t
WP2
t
AH
t
WR
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
–10
–12
–15
–20
Unit Notes
ns
Min
10
Max
–
Min
12
Max
–
Min
15
Max
–
Min
20
Max
–
Write cycle time
Chip enable (CE) to write end
7
–
8
–
10
–
12
–
ns
Address setup to write end
7
–
8
–
10
–
12
–
ns
Address setup time
0
–
0
–
0
–
0
–
ns
Write pulse width (OE = high)
7
–
8
–
10
–
12
–
ns
Write pulse width (OE = low
10
–
12
–
15
–
20
–
ns
Address hold from end of write
0
–
0
–
0
–
0
–
ns
Write recovery time
0
–
0
–
0
–
0
–
ns
Data valid to write end
5
–
6
–
7
–
9
–
ns
Data hold time
0
–
0
–
0
–
0
–
ns
3,4
Write enable to output in high Z
2
5
2
6
2
7
2
9
ns
3,4
Output active from write end
3
–
3
–
3
–
3
–
ns
3,4
t
AW
t
AH
t
WC
Address
WE
D
OUT
t
DH
t
OW
t
DW
Data valid
t
WZ
t
WP
t
AS
D
IN
t
WR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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