參數(shù)資料
型號: AS7C4096A-10TCN
廠商: ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 5.0V 512K x 8 CMOS SRAM
中文描述: 512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝: LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁數(shù): 3/10頁
文件大?。?/td> 324K
代理商: AS7C4096A-10TCN
AS7C4096A
5/27/05, v. 1.1
Alliance Semiconductor
P. 3 of 10
*V
IH
max = V
CC
+ 1.5V for pulse width less than 5 nS.
**V
IL
min = –1.0V for pulse width less than 5 nS.
.
DC operating characteristics (over the operating range
)
1
Recommended operating condition
Parameter
Supply voltage
Symbol
Min
4.5
2.2
–0.5
0
–40
Nominal
5.0
Max
5.5
Unit
V
V
V
°
C
°
C
V
CC
(10/12/15/20)
V
IH*
V
IL**
T
A
T
A
Input voltage
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
Ambient operating
temperature
commercial
industrial
Parameter
Input leakage
current
Output leakage
current
Symbol
Test conditions
–10
–12
–15
–20
Unit Notes
Min Max Min Max Min Max Min Max
|I
LI
|
V
CC
= Max, V
IN
= GND to V
CC
V
CC
= Max, CE = V
IH
V
OUT
= GND to V
CC
V
CC
= Max, CE < V
IL
f = f
Max
, I
OUT
= 0mA
V
CC
= Max, CE > V
IH
f = f
Max
, I
OUT
= 0mA
V
CC
= Max,
CE
V
CC
– 0.2V,
V
IN
0.2V or V
IN
V
CC
– 0.2V,
f = 0
1
1
1
1
μ
A
|I
LO
|
1
1
1
1
μ
A
Operating power
supply current
I
CC
160
140
120
100
mA
Standby power
supply current
I
SB
60
55
50
40
mA
I
SB1
10
10
10
10
mA
Output voltage
V
OL
I
OL
= 6 mA, V
CC
= Min
I
OL
= 8 mA, V
CC
= Min
I
OH
= –4 mA, V
CC
= Min
0.4
0.4
0.4
0.4
V
4
0.5
0.5
0.5
0.5
V
OH
2.4
2.4
2.4
2.4
V
4
C
apacitance (f = 1MHz, T
a
= 25
°
C, V
CC
= NOMINAL)
4
Parameter
Input capacitance
Symbol
C
IN
C
I/O
Signals
Test conditions
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
Max
5
Unit
pF
A, CE, WE, OE
I/O capacitance
I/O
7
pF
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