參數(shù)資料
型號(hào)： AS7C4096A-10TCN
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5.0V 512K x 8 CMOS SRAM
中文描述： 512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： AS7C4096A-10TCN
AS7C4096A
5/27/05, v. 1.1
Alliance Semiconductor
P. 4 of 10
Read cycle (over the operating range)
2,8
Key to switching waveforms
Read waveform 1 (address controlled)
2,5,6,8
Read waveform 2 (CE, OE controlled)
2,5,7,8
Parameter
Symbol
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
–10
–12
–15
–20
Unit
ns
Notes
Min
10
Max
–
Min
12
Max
–
Min
15
Max
–
Min
20
Max
–
Read cycle time
Address access time
–
10
–
12
–
15
–
20
ns
2
Chip enable (CE) access time
–
10
–
12
–
15
–
20
ns
2
Output enable (OE) access time
–
5
–
6
–
6
–
6
ns
Output hold from address change
3
–
3
–
3
–
3
–
ns
4
CE Low to output in low Z
3
–
3
–
3
–
3
–
ns
3,4
CE High to output in high Z
–
5
–
6
–
7
–
9
ns
3,4
OE Low to output in low Z
0
–
0
–
0
–
0
–
ns
3,4
OE High to output in high Z
–
5
–
6
–
7
–
9
ns
3,4
Power up time
0
–
0
–
0
–
0
–
ns
3,4
Power down time
–
10
–
12
–
15
–
20
ns
3,4
Undefined/don’t care
Falling input
Rising input
Address
D
OUT
Data valid
t
OH
t
AA
t
RC
current
Supply
OE
D
OUT
t
OE
t
OLZ
t
ACE
t
CHZ
t
CLZ
t
PU
t
PD
I
CC
I
SB
50%
50%
t
OHZ
Data valid
t
RC1
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS7C4096A-10TI 5.0V 512K x 8 CMOS SRAM
AS7C4096A-10TIN 5.0V 512K x 8 CMOS SRAM
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參數(shù)描述
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AS7C4096A-12JIN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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