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參數(shù)資料
| 型號： | AS7C1028 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 256K X 4 CMOS SRAM (Common I/O) |
| 中文描述： | 5V的256K × 4 CMOS SRAM的（通用的I / O） |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | AS7C1028 |
AS7C1028
12/5/06;
V.1.0
Alliance Memory
P. 3 of 8
Recommended operating conditions
Parameter
Supply voltage
Note:
1 V
IL
min = –1.5V for pulse width less than 10ns, once per cycle.
DC operating characteristics (over the operating range)
1
Capacitance (f = 1MHz, T
a
= room temperature, V
CC
= NOMINAL)
2
Parameter
Note:
This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
(1)
T
A
Min
4.5
2.2
-0.5
(1)
–40
Typical
5.0
–
–
–
Max
5.5
V
CC
+0.5
0.8
85
Unit
V
V
V
o
C
Input voltage
Ambient operating temperature (Industrial)
Parameter
Symbol
Test conditions
AS7C1028-12
Min
Unit
Max
Input leakage current
|
I
LI
|
V
CC
= Max,
V
in
= GND to V
CC
V
CC
= Max,
CS
= V
IH
,
V
OUT
= GND to V
CC
V
CC
= Max, CE
≤
V
IL
f = f
Max
, I
OUT
= 0mA
V
CC
= Max, CE
>
V
IH
f = f
Max
, I
OUT
= 0mA
V
CC
= Max, CE
>
V
CC
–0.2V
V
IN
< GND + 0.2V or
V
IN
> V
CC
–0.2V, f = 0
I
OL
= 8 mA, V
CC
= Min
I
OH
= –4 mA, V
CC
= Min
–
5
μA
Output leakage current
|
I
LO
|
–
5
μA
Operating power supply current
I
CC
–
170
mA
Standby power supply current
I
SB
–
40
mA
I
SB1
–
10
mA
Output voltage
V
OL
V
OH
–
0.4
–
V
V
2.4
Symbol
Signals
Test conditions
Max
Unit
Input capacitance
C
IN
C
I/O
A,
CE
,
WE
,
OE
I/O
V
in
= 3dV
V
out
= 3dV
8
pF
I/O capacitance
8
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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