- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄298830 > AS7C1025B-15JCN (ALLIANCE MEMORY INC) IC,AS7C1025B-15JCN,SOJ-32, SRAM,15NS,128K X 8,5V PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS7C1025B-15JCN |
| 廠商： | ALLIANCE MEMORY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | IC,AS7C1025B-15JCN,SOJ-32, SRAM,15NS,128K X 8,5V |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | AS7C1025B-15JCN |
August 2009
Copyright Alliance Memory Inc. . All rights reserved.
AS7C1025B
5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)
Aug 2009 v 1.4
Alliance Memory Inc.
P. 1 of 9
Features
Industrial and commercial temperatures
Organization: 131,072 x 8 bits
High speed
- 10/12/15/20 ns address access time
- 5/6/7/8 ns output enable access time
Low power consumption: ACTIVE
- 605mW / max @ 10 ns
Low power consumption: STANDBY
- 55 mW / max CMOS
6 T 0.18 u CMOS technology
Easy memory expansion withCE , OE inputs
Center power and ground
TTL/LVTTL-compatible , three-state I/O
JEDEC-standard packages
- 32-pin, 300 mil SOJ
- 32-pin, 400 mil SOJ
ESD protection ≥ 2000 volts
Latch-up current≥ 200 mA
Logic block diagram
512 x 256 x 8
Array
(1,048,576)
Se
nse
am
p
Input buffer
A1
0
A1
1
A1
2
A1
3
A1
4
A1
5
A1
6
I/O0
I/O7
OE
CE
WE
Column decoder
Row
de
cod
er
Control
circuit
A9
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
VCC
GND
A8
Pin arrangement
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
AS7C1
025
B
32-pin SOJ (300 mil)
32-pin SOJ (400 mil)
Selection guide
-10
-12
-15
-20
Unit
Maximum address access time
10
12
15
20
ns
Maximum output enable access time
5
6
7
8
ns
Maximum operating current
110
100
90
80
mA
Maximum CMOS standby current
10
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS7C1026B-12TCN | IC,AS7C1026B-12TCN,TSOP-32 I, SRAM,12NS,64K X 16,5V |
| AS7C164-15JCN | IC,AS7C164-15JCN,SOJ-28 ASY SRAM,15NS,8K X 8,5V |
| AS7C164L-20JC | 8K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28 |
| AS7C25512PFS32A-225BC | 512K X 32 STANDARD SRAM, 6.9 ns, PBGA165 |
| AS7C256A-10TCN | IC,AS7C256A-10TCN,TSOP-28 ASY SRAM,10NS,32K X 8,5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS7C1025B-15JCNTR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS7C1025B-15JI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
| AS7C1025B-15JIN | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS7C1025B-15JINTR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M, 5V, 15ns FAST 128K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS7C1025B-15TJC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground) |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。