參數(shù)資料
型號(hào)： AS6C6264-55PCN
廠商： ALLIANCE MEMORY INC
元件分類： SRAM
英文描述： IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V
中文描述： 8K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP28
封裝： 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 851K
代理商： AS6C6264-55PCN
8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
*5
MAX.
UNIT
Supply Voltage
VCC
V
5.
2.7
3.0
5
Input High Voltage
VIH
*1
V
-
V
2.4
CC
+0.3
V
Input Low Voltage
VIL
*2
V
6
.
0
-
5
.
0
-
Input Leakage Current
ILI
VCC >
=
>
=
>
=
>
=
>
=
VIN
VSS
- 1
-
1
A
Output Leakage
Current
ILO
VCC
VOUT
VSS,
Output Disabled
- 1
-
1
A
Output High Voltage
VOH
IOH
V
-
0
.
3
4
.
2
A
m
1
-
=
Output Low Voltage
VOL
IOL = 2mA
-
0.4
V
- 55
-
15
45
mA
ICC
Cycle time = Min.
CE# = VIL and CE2 = VIH,
II/O = 0mA
Average Operating
Power supply Current
ICC1
Cycle time = 1s
CE#≦0.2V and CE2≧VCC-0.2V,
II/O = 0mA
other pins at 0.2V or VCC-0.2V
-
3
10
mA
-C
1
50
*4
A
Standby Power
Supply Current
ISB1
CE#
VCC-0.2V
or CE2≦0.2V
-I
-
1
80
*4
A
Notes: C = Commercial Temperature I = Industrial temperature
1. VIH(max) =VCC + 3.0V for pulse width less than 10ns.
2. VIL(min) =VSS - 3.0V for pulse width less than 10ns.
3. Over/Undershoot specifications are characterized, not 100% tested.
4. 10A for special request
5. Typical values are included for reference only and are not guaranteed or tested.
Typical valued are measured at VCC = VCC(TYP.) and TA = 25C
C
CAPACITANCE (TA = 25 , f = 1.0MHz)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX
UNIT
Input Capacitance
CIN
-
6
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
-
8
pF
Note :These parameters are guaranteed by device characterization, but not production tested.
AC TEST CONDITIONS
V
o
t
V
2
.
0
s
l
e
v
e
L
e
s
l
u
P
t
u
p
n
I
CC
- 0.2V
s
n
3
s
e
m
i
T
ll
a
F
d
n
a
e
s
i
R
t
u
p
n
I
Input and Output Timing Reference Levels
1.5V
C
d
a
o
L
t
u
p
t
u
O
L
= 50pF + 1TTL, IOH/IOL = -1mA/2mA
February 2007
AS6C6264
02/Feb/07, v1.0
Alliance Memory Inc
Page 3 of 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS7C1024B-12JCN IC,AS7C1024B-12JCN,SOJ-32 SRAM,12NS,128K X 8,5V
AS7C1024B-12TCN IC,AS7C1024B-12TCN,SOJ-32, SRAM,12NS,128K X 8,5V
AS7C1024B-10JCN 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32
AS7C1024LL-70TC 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
AS7C1025B-15JCN IC,AS7C1025B-15JCN,SOJ-32, SRAM,15NS,128K X 8,5V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AS6C6264-55PIN 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 28DIP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:SRAM 技術(shù):SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:64Kb （8K x 8） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:55ns 訪問時(shí)間:55ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15
AS6C6264-55SCN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C6264-55SCNTR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C6264-55SIN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C6264-55SINTR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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