參數(shù)資料
型號: AS6C6264-55PCN
廠商: ALLIANCE MEMORY INC
元件分類: SRAM
英文描述: IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V
中文描述: 8K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP28
封裝: 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28
文件頁數(shù): 10/12頁
文件大小: 851K
代理商: AS6C6264-55PCN
8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VCC for Data Retention
VDR
CE#
V
CC
- 0.2V
or CE2 ≦ 0.2V
1.5
-
5.5
V
Data Retention Current
IDR
VCC = 1.5V
CE#
V
CC
- 0.2V
or CE2 ≦ 0.2V
-
0.5
10
A
Chip Disable to Data
Retention Time
tCDR
See Data Retention
Waveforms (below)
0
-
ns
Recovery Time
tR
tRC*
-
ns
tRC* = Read Cycle Time
DATA RETENTION WAVEFORM
Low Vcc Data Retention Waveform (1)
(
CE# controlled)
Vcc
CE#
VDR ≧ 1.5V
CE#
V
cc-0.2V
Vcc(min.)
VIH
tR
tCDR
VIH
Vcc(min.)
Low Vcc Data Retention Waveform (2)
(CE2 controlled)
Vcc
CE2
VDR ≧ 1.5V
CE2 ≦ 0.2V
Vcc(min.)
VIL
tR
tCDR
VIL
Vcc(min.)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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AS6C6264-55SCN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C6264-55SCNTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C6264-55SIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C6264-55SINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray