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參數(shù)資料
| 型號： | AS4SD1M16S-8A |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | x16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/51頁 |
| 文件大小： | 1071K |
| 代理商： | AS4SD1M16S-8A |
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S DR A M
AS4SD16M16
Austin Semiconductor, Inc.
AS4SD16M16
Rev. 1.5 6/03
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
29
SYM
t
AC(3)
MIN
MAX
5.4
UNITS
ns
NOTES
27
CL = 3
CL = 2
t
AC(2)
6
ns
t
AH
0.8
ns
t
AS
1.5
ns
t
CH
2.5
ns
t
CL
2.5
ns
CL = 3
t
CK(3)
7.5
ns
23
CL = 2
t
CK(2)
10
ns
23
t
CKH
0.8
ns
t
CKS
1.5
ns
t
CMH
0.8
ns
t
CMS
1.5
ns
t
DH
0.8
ns
t
DS
1.5
ns
CL = 3
t
HZ(3)
5.4
ns
10
CL = 2
t
HZ(2)
6
ns
10
t
LZ
1
ns
t
OH
3
ns
t
OH
N
1.8
ns
28
t
RAS
44
80,000
ns
t
RC
66
ns
t
RCD
20
ns
t
REF
64 / 24
ms
34
t
RFC
66
ns
35
t
RP
20
ns
t
RRD
15
ns
t
T
0.3
1.2
ns
7
1 CLK +
7.5ns
15
75
ns
24
ns
ns
25
t
XSR
20, 35
-75
Access time from CLK (pos. edge)
Clock cycle time
Data-out high-impedance time
CS\, RAS\, CAS\, WE\, DQM setup time
CS\, RAS\, CAS\, WE\, DQM hold time
CKE setup time
CKE hold time
Address hold time
Address setup time
t
WR
PARAMETER
WRITE recovery time
AUTO REFRESH period
ACTIVE to READ or WRITE delay
Refresh period (8,192 rows)
ACTIVE to ACTIVE command
ACTIVE to PRECHARGE command
Data-out hold time (no load)
CLK high-level width
Exit SELF REFRESH to ACTIVE command
Transition time
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b command
PRECHARGE command period
CLK low-level width
Data-out hold time (load)
Data-out low-impedance time
Data-in setup time
Data-in hold time
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING
CONDITIONS
5,6,8,9,11
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4SD4M16A2-10 | x16 SDRAM |
| AS4SD4M16A2-8 | x16 SDRAM |
| AS5010 | Voltage Reference |
| AS5010GN | Voltage Reference |
| AS5010HN | Voltage Reference |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4SD2M32 | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
| AS4SD2M32DGX-6ET | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
| AS4SD2M32DGX-6IT | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
| AS4SD2M32DGX-6XT | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
| AS4SD2M32DGX-75ET | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
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