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參數(shù)資料
| 型號： | AS4SD1M16S-12 |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | x16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 43/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 1071K |
| 代理商： | AS4SD1M16S-12 |
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S DR A M
AS4SD16M16
Austin Semiconductor, Inc.
AS4SD16M16
Rev. 1.5 6/03
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
43
WRITE - WITHOUT AUTO PRECHARGE
1
*CAS latency indicated in parentheses.
NOTES:
1. For this example, the burst length = 4, and the WRITE burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. 14ns to 15ns is required between <D
IN
m
+ 3> and the PRECHARGE command, regardless of frequency.
3. A9, A11, and A12 = “Don’t Care”
TIMING PARAMETERS
MIN
0.8
MAX
MIN
MAX
t
AH
ns
t
CMS
1.5
ns
t
AS
1.5
ns
t
DH
0.8
1.5
ns
t
CH
2.5
ns
t
DS
ns
t
CL
2.5
ns
t
RAS
44
80,000
ns
t
CK(3)
7.5
ns
t
RC
66
ns
t
CK(2)
10
ns
t
RCD
20
ns
t
CKH
0.8
ns
t
RP
20
ns
t
CKS
1.5
ns
t
WR
15
ns
t
CMH
0.8
ns
-75
UNITS
-75
SYMBOL*
UNITS
SYMBOL*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4SD1M16S-8A | x16 SDRAM |
| AS4SD4M16A2-10 | x16 SDRAM |
| AS4SD4M16A2-8 | x16 SDRAM |
| AS5010 | Voltage Reference |
| AS5010GN | Voltage Reference |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4SD1M16S-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| AS4SD2M32 | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
| AS4SD2M32DGX-6ET | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
| AS4SD2M32DGX-6IT | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
| AS4SD2M32DGX-6XT | 制造商:AUSTIN 制造商全稱:Austin Semiconductor 功能描述:512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
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