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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT750U60D4G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, D4, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | APTGT750U60D4G |
APTGT750U60D4G
APT
G
T
750U60D4
G
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
5- 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
200
400
600
800
1000
IC (A)
Fm
ax
,Ope
rati
n
g
Frequenc
y
(k
Hz
)
VCE=300V
D=50%
RG=2
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
mal
Im
pe
dan
ce
(°
C/W)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75A120D1 | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75A120D1G | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75A120D1 | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75A120T1G | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75A120T | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT75A1202G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
| APTGT75A120D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module |
| APTGT75A120D1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75A120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75A120T1G | 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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