參數(shù)資料
型號： APTGT75A120D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 185K
代理商： APTGT75A120D1G
APTGT75A120D1
A
PT
G
T
75
A
12
0D
1
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
110
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
75
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
175
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
357
W
SCSOA Short Circuit Safe Operating Area
Tj = 125°C
300A@900V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
2
1
3
5
Q2
7
6
Q1
4
6
7
5
4
3
2
1
VCES = 1200V
IC = 75A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Phase Leg
Trench IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75A120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120T1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A170D1 120 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75A120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75A120T1G 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75A120TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75A170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT75A170D1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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