參數(shù)資料
型號： APTGT750U60D4G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D4, 5 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 196K
代理商： APTGT750U60D4G
APTGT750U60D4G
APT
G
T
750U60D4
G
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
1
mA
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 800A
Tj = 125°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 13mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
3100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
49
Coes
Output Capacitance
3.1
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
1.5
nF
QG
Gate charge
VGE=-8/+15V, IC=800A
VCE=300V
5.8
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
250
Tr
Rise Time
70
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 800A
RG = 2Ω
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
270
Tr
Rise Time
80
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 800A
RG = 2Ω
80
ns
Eon
Turn on Energy
Tj = 150°C
10
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 800A
RG = 2Ω
Tj = 150°C
40
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp = 6s ; Tj = 150°C
4000
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
750
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
1000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
800
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 800A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
150
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
250
ns
Tj = 25°C
36
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
76
C
Tj = 25°C
9.2
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 800A
VR = 300V
di/dt =5000A/s
Tj = 150°C
19
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75A120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120D1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120T1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75A1202G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
APTGT75A120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT75A120D1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75A120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75A120T1G 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*