參數(shù)資料
型號： APTGT50X170RTP3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, MODULE-35
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： APTGT50X170RTP3G
APTGT50X170RTP3G
APTGT50X170BTP3G
A
P
T
G
T
50
X
170B
T
P
3G
–
R
ev
2
M
ay,
2007
www.microsemi.com
3 - 8
IGBT & Diode Inverter Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
250
A
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2.5mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Cies
Input Capacitance
4400
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ;VCE = 25V
f = 1MHz
150
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
370
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
700
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 10
180
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
400
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
850
Tf
Fall Time
300
ns
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 10
15
mJ
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Forward Voltage
VGE = 0V
IF = 50A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
19
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 50A
VR = 900V
di/dt=990A/s
Tj = 125°C
30
C
IGBT
0.4
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.7
°C/W
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
5
k
B 25/50
T25 = 298.16 K
3375
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
50
/
25
3. Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
3500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
300
g
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50X170BTP3G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170RTP3 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170BTP3 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170BTP3 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170RTP3 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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