參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50X170RTP3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 302K
代理商： APTGT50X170RTP3G
APTGT50X170RTP3G
APTGT50X170BTP3G
A
P
T
G
T
50
X
170B
T
P
3G
–
R
ev
2
M
ay,
2007
www.microsemi.com
1 - 8
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
1. Absolute maximum ratings
Diode rectifier Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VRRM
Repetitive Peak Reverse Voltage
1600
V
ID
DC Forward Current
TC= 80°C
80
Tj = 25°C
500
IFSM
Surge Forward Current
tp = 10ms
Tj = 150°C
400
A
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
CR12
23
CR10
21
1
2
3
CR11 CR13 CR15
CR14
9
R
6
Q5
5
16
15
8
10
Q6
4
18
17
11
19
Q2
13
12
Q1
20
14
24
7
CR7
Q4
Q3
22
Q7
APTGT50X170RTP3G: Without Brake (Pin 7 & 14 not connected)
9
8
7
45
6
22
23
24
123
17
18
19
20
10
11
12
14 13
16 15
21
VCES = 1700V
IC = 50A @ Tc = 80°C
Application
AC Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
High level of integration
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Low conduction losses
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS Compliant
Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50X170BTP3G 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170RTP3 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170BTP3 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170BTP3 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170RTP3 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50X170TRPG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT50X60T3G 功能描述:IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT580U60D4G 功能描述:IGBT 600V 760A 1600W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT600A60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600A60G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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