參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50X170RTP3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
中文描述： 輸入整流橋制動(dòng)三相橋溝道IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： APTGT50X170RTP3
APTGT50X170RTP3
APTGT50X170BTP3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 4
IGBT & Diode Inverter
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 2.5mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
V
GE
= 0V ;V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
Min
1700
5.0
Typ
2.0
2.4
5.8
4400
150
200
90
720
90
220
90
820
110
22
1.8
1.9
19
Max
5
2.4
6.5
600
2.2
Unit
V
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
C
ies
C
rss
T
d(on)
T
r
T
d(off)
T
f
T
d(on)
T
r
T
d(off)
T
f
E
off
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn off Energy
V
nA
pF
ns
ns
mJ
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
F
Forward Voltage
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
I
F
= 50A
V
R
= 900V
di/dt=990A/μs
V
Q
rr
Reverse Recovery Charge
T
j
= 125°C
IGBT
Diode
30
μC
0.40
0.70
R
thJC
Junction to Case
°C/W
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/50
T
25
= 298.16 K
Min
Typ
5
3375
Max
Unit
k
K
=
T
T
B
R
R
T
1
1
exp
25
50
/
25
25
3.
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
T
J
Operating junction temperature range
T
STG
Storage Temperature Range
T
C
Operating Case Temperature
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Min
Typ
Max
Unit
V
ISOL
2500
V
-40
-40
-40
150
125
125
3.3
300
°C
To Heatsink
M5
N.m
g
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT600A60 Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600DU60 Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600SK60 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT600U170D4G Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
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參數(shù)描述
APTGT50X170TRPG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT50X60T3G 功能描述:IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT580U60D4G 功能描述:IGBT 600V 760A 1600W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT600A60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600A60G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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