參數(shù)資料
型號： APTGT50X170RTP3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
中文描述： 輸入整流橋制動三相橋溝道IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 216K
代理商： APTGT50X170RTP3
APTGT50X170RTP3
APTGT50X170BTP3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 4
IGBT & Diode Brake
(only for APTGT50X170BTP3)
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Max ratings
1700
70
50
100
±20
310
50
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
I
F
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
DC Forward Current
A
V
W
A
IGBT & Diode Inverter
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1200
70
50
100
±20
310
100A @ 1700V
50
100
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
T
C
= 80°C
t
p
= 1ms
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA Reverse Bias Save Operating Area
I
F
DC Forward Current
I
FRM
Repetitive Peak Forward Current
2.
Electrical Characteristics
Diodes Rectifier
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
R
Reverse Current
V
F
Forward Voltage
R
thJC
Junction to Case
IGBT Brake & Diode
(only for APTGT50X170BTP3)
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
A
Test Conditions
V
R
= 1600V
I
F
= 50A
Min
Typ
3
1.0
Max
0.65
Unit
mA
V
°C/W
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
V
GE
= 0V,V
CE
= 25V
f = 1MHz
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
Min
Typ
Max Unit
6
2.4
6.5
600
2.2
0.4
0.7
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.0
2.4
5.8
4400
150
1.8
1.9
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
C
ies
C
res
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
5.0
V
nA
pF
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
IGBT
Diode
V
F
Forward Voltage
V
R
thJC
Junction to Case
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT600A60 Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600DU60 Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600SK60 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600U120D4 Single switch Trench IGBT Power Module
APTGT600U170D4G Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50X170TRPG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT50X60T3G 功能描述:IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT580U60D4G 功能描述:IGBT 600V 760A 1600W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT600A60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600A60G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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