參數(shù)資料
型號: APTGT50SK170T1G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 275K
代理商: APTGT50SK170T1G
APTGT50SK170T1G
APTGT50SK
17
0T1G
Re
v0
Au
gus
t,2007
www.microsemi.com
5 – 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VF (V)
I F
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
30
0
1020
3040
5060
7080
IC (A)
F
m
ax,
Op
er
at
in
g
F
requen
cy
(
kH
z)
VCE=900V
D=50%
RG=10
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
ma
lIm
pe
da
n
ce
C
/W
)
Diode
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Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT50TA170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TA170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TA60P 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TA60P 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TDU170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT50SK170TG 功能描述:IGBT 1700V 75A 312W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TA170P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT50TA170PG 功能描述:IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TA60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TA60PG 功能描述:IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B