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APTGT50TA170PG

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APTGT50TA170PG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGT50TA170PG 技術參數
  • APTGT50SK170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT50SK170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT50SK170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 70A 310W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:310W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):6mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT50SK120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT50SK120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 270W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):5mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT600DU60G APTGT600SK60G APTGT600U120D4G APTGT600U170D4G APTGT750U60D4G APTGT75A1202G APTGT75A120D1G APTGT75A120T1G APTGT75A120TG APTGT75A170D1G APTGT75A60T1G APTGT75DA120D1G APTGT75DA120T1G APTGT75DA120TG APTGT75DA170D1G APTGT75DA170T1G APTGT75DA60T1G APTGT75DDA60T3G
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