參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50SK170T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 275K
代理商： APTGT50SK170T1G
APTGT50SK170T1G
APTGT50SK
17
0T1G
–
Re
v0
Au
gus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1
1.5
22.533.5
4
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=20V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
01
2
3
45
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
56789
10
11
12
13
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
10
20
30
40
50
0
2040
6080
100
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 900V
VGE = 15V
RG = 10
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
10
20
30
40
50
0
10
203040
5060
7080
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 900V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
0
400
800
1200
1600
2000
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=10
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
nce
(
°C/W)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50TA170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TA170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TA60P 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TA60P 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TDU170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50SK170TG 功能描述:IGBT 1700V 75A 312W SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TA170P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT50TA170PG 功能描述:IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TA60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TA60PG 功能描述:IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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