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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT200DA170D3G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | APTGT200DA170D3G |
APTGT200DA170D3G
APT
G
T
200DA170
D3G
–
Rev
1
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
5- 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
00.5
1
1.5
22.5
3
VF (V)
I F
(A)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
Fma
x
,Op
er
a
ting
Fr
e
q
ue
nc
y
(
k
H
z
)
VCE=900V
D=50%
RG=6.8
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
ma
lImpe
da
nce
(°C
/W)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT200DA60T3AG | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DH120 | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DH120 | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DH60 | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DH60 | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT200DA60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT200DA60TG | 功能描述:IGBT 600V 290A 625W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT200DH120 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT200DH120G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT200DH60G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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