參數(shù)資料
型號： APTGT200DA170D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 213K
代理商： APTGT200DA170D3G
APTGT200DA170D3G
APT
G
T
200DA170
D3G
–
Rev
1
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
1- 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1700
V
TC = 25°C
310
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
200
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
400
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
1250
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
400A@1650V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
1
2
3
Q2
6
7
VCES = 1700V
IC = 200A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
High level of integration
M6 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Boost chopper
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200DA60T3AG 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH60 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH60 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGT200DA60TG 功能描述:IGBT 600V 290A 625W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT200DH60G 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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