參數(shù)資料
型號： APTGT200DA120D3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 201K
代理商： APTGT200DA120D3
APTGT200DA120D3
A
PT
G
T
20
0D
A
12
0D
3
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 6mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
6
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 200A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 6mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
14
Coes
Output Capacitance
0.8
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.66
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 200A
RG = 3.6
130
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 200A
RG = 3.6
180
ns
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 200A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Erec
Reverse Recovery Energy
IF = 200A
VR = 600V
di/dt =900A/s
Tj = 125°C
17
mJ
Tj = 25°C
20
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 200A
VR = 600V
di/dt =900A/s Tj = 125°C
36
C
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
IGBT
0.12
RthJC
Junction to Case
Diode
0.20
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M6
3
5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
380
g
相關PDF資料
PDF描述
APTGT200DA170D3G 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T3AG 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH60 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT200DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1050W D3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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