參數(shù)資料
型號： APTGT200DA120D3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： APTGT200DA120D3
APTGT200DA120D3
A
PT
G
T
20
0D
A
12
0D
3
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
300
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
200
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
400
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
1040
W
SCSOA Short Circuit Safe Operating Area
Tj = 125°C
800A@900V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
1
2
3
Q2
6
7
2
3
5
4
6
7
1
VCES = 1200V
IC = 200A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M6 power connectors
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Boost chopper
Trench IGBT Power Module
相關PDF資料
PDF描述
APTGT200DA120D3 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA170D3G 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T3AG 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DH120 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT200DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1050W D3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT200DA120DG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT200DA120G 功能描述:IGBT 1200V 280A 890W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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