參數(shù)資料
型號： APTGT200A60T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 278K
代理商： APTGT200A60T
APTGT200A60T
A
P
T
G
T
200
A
60T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
00.511.522.5
3
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
0.511.522.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
567
89
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50 100 150 200 250 300 350 400
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 5
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
4
8
12
16
20
24
0
5
10
15
20
25
30
35
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 200A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=5
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
e
rm
al
Im
p
e
d
an
c
e(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200A60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA120D3 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA120D3 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA170D3G 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T3AG 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200A60TG 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200DA120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 300A 1050W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200DA120DG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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