參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF90H60T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 299K
代理商： APTGF90H60T
APTGF90H60T
A
PT
G
F90H
60T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5- 6
VGE = 15V
15
20
25
30
35
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(on)
,Tur
n
-O
n
De
la
yTi
m
e(
n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
50
100
150
200
250
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
ff),
T
u
rn
-O
ff
D
e
la
yT
im
e
(n
s)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
is
e
T
ime
(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
all
T
ime
(
n
s
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,Tur
n-
O
n
E
n
e
rgy
Los
s
(
m
J)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
6
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
Tur
n-
of
fE
n
er
gy
Los
s(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
Eon, 45A
Eoff, 45A
0
4
8
12
16
0
10203040
50
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
c
h
ing
E
n
e
rgy
Los
se
s(
m
J)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 180A
Eoff, 180A
Eon, 90A
Eoff, 90A
Eon, 45A
Eoff, 45A
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
c
h
ing
E
n
e
rgy
Los
se
s(
m
J)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF90SK60D1G 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60D1 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60D1 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60T3AG 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGL180A120T3AG 230 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF90H60T3G 功能描述:POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90H60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF90SK60D1G 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF90SK60T1G 功能描述:IGBT 600V 110A 416W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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