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參數(shù)資料
| 型號： | APTGF50DDA60T3G |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 雙升壓斬波不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | APTGF50DDA60T3G |
APTGF50DDA60T3G
A
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
10
20
30
40
50
C
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
0
20
40
60
80
100
I
C
, Collector Current (A)
F
m
,
V
CE
= 400V
D = 50%
R
G
= 2.7
T
J
= 125°C
T
C
= 75°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述 |
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| APTGF50DH60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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