參數(shù)資料
型號： APTGF50H120TG
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： APTGF50H120TG
APTGF50H120TG
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 6
Application
Features
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS compliant
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
VBUS
OUT1
OUT2
Q3
Q4
E3
G3
0/VBUS
E4
G4
NTC2
G2
E2
NTC1
Q2
Q1
G1
E1
OUT1
OUT2
NTC1
NTC2
G3
E3
VBUS
G1
E1
G4
G2
E2
0/VBUS
E4
Parameter
Max ratings
1200
75
50
150
±20
312
100A @ 1200V
Unit
V
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Reverse Bias Safe Operating Area
A
V
W
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ Tc = 80°C
Full - Bridge
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50H60T3G Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50TA120P Triple phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50TDU120P Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module
APTGF50X120E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50H60T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50H60T2G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50H60T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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