參數(shù)資料
型號： APTGF50H120TG
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： APTGF50H120TG
APTGF50H120TG
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 6
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1 mA
V
GE
= ±20 V, V
CE
= 0V
Min
4.5
Typ
3.2
4.0
Max
500
2500
3.7
6.5
100
Unit
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
μA
V
CE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Total gate Charge
Q
ge
Gate – Emitter Charge
Q
gc
Gate – Collector Charge
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Min
Typ
3450
330
220
330
35
200
35
65
320
30
5.4
2.3
35
65
360
40
6.9
3.05
Max
Unit
pF
V
GS
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 50A
nC
ns
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
mJ
ns
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
mJ
Test Conditions
Min
1200
Typ
60
2.0
2.3
1.8
Max
350
600
2.5
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc = 70°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1200V
μA
I
F
DC Forward Current
A
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 125°C
V
T
j
= 25°C
370
t
rr
Reverse Recovery Time
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
500
1320
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 60A
V
R
= 800V
di/dt =400A/μs
6900
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50H60T3G Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50TA120P Triple phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50TDU120P Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module
APTGF50X120E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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參數(shù)描述
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APTGF50H60T2G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50H60T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50SK120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
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