參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50DDA120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大?。?/td> 242K
代理商： APTGF50DDA120T3G
APTGF50DDA120T3G
APTGF50DDA12
0T3G
–
Rev
1
A
pril,
2009
www.microsemi.com
7- 7
Typical diode Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
a
lI
m
p
e
da
n
ce
(
°C/
W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VF, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,F
o
rwa
rd
Cu
rre
n
t(
A
)
Forward Current vs Forward Voltage
Trr vs. Current Rate of Charge
30 A
60 A
120 A
0
100
200
300
400
0
200
400
600
800 1000 1200
-diF/dt (A/s)
t rr
,Re
ver
s
e
Re
co
ve
ry
T
im
e
(
n
s)
TJ=125°C
VR=800V
QRR vs. Current Rate Charge
30 A
60 A
120 A
0
1
2
3
4
5
6
7
0
200
400
600
800
1000 1200
-diF/dt (A/s)
Q
RR
,R
e
ve
rse
R
e
cov
e
ry
C
h
arge
(
C
)
TJ=125°C
VR=800V
IRRM vs. Current Rate of Charge
30 A
60 A
120 A
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800 1000 1200
-diF/dt (A/s)
I RRM
,Re
ver
se
Re
co
ve
ry
Cu
rr
e
n
t(
A
)
TJ=125°C
VR=800V
Capacitance vs. Reverse Voltage
0
100
200
300
400
1
10
100
1000
VR, Reverse Voltage (V)
C
,C
a
pac
it
a
nc
e
(
p
F)
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature (C)
I F
(AV
)(
A
)
Max. Average Forward Current vs. Case Temp.
Duty Cycle = 0.5
TJ=175°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGF50DSK60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DSK60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGF50SK120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGF50DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
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