參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50DDA120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 242K
代理商： APTGF50DDA120T3G
APTGF50DDA120T3G
APTGF50DDA12
0T3G
–
Rev
1
A
pril,
2009
www.microsemi.com
6- 7
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020
3040
50
C
,C
a
p
aci
ta
n
ce
(p
F
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0
20
40
60
80
100
120
0
400
800
1200
I C
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
nce
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
10
20
30
40
50
60
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
Fm
a
x
,Ope
ra
ti
n
g
Fre
quenc
y
(
k
Hz
)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 5
TJ = 125°C
TC= 75°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50DSK60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50DSK60T3 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50H60T1G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF50DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
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